Назад

QA20060-10G

Заказать

Широкополосный транзистор на основе технологии GaN без внутреннего согласования. Транзистор работает в широком диапазоне частот от ∅ до 6 ГГц, обеспечивая выходную мощность 10 Вт в непрерывном режиме. Высоий КПД (до 84%) и отличная нагрузочная способность делают этот транзистор идеальным решением для современных СВЧ-систем, включая оборудование связи, ЭМС, радиолокации и телеметрии.


Datasheet

Основные характеристики:
  • Диапазон рабочих частот: DC–6 ГГц
  • Выходная мощность: 10 Вт (CW)
  • КПД (drain efficiency):
  1. 84% (на 1,8 ГГц)
  2. 77,2% (на 2,6 ГГц)
  • Коэффициент усиления:
  1. 20,8 дБ (1,8 ГГц)
  2. 17,5 дБ (2,6 ГГц)
  • Напряжения:
  1. Сток (Vds): 28 В (макс. 55 В)
  2. Затвор (Vgs): -3,0 В (тип.)
  • Ток покоя (Idq): 50 мА
  • Корпус: 14,0×4,10×3,22 мм

Области применения:
  • Базовые станции 4G/5G
  • Радиочастотные усилители широкополосных систем