QA20060-10GLL

Широкополосный транзистор мощности на основе технологии GaN, представляющий собой версию модели QA20060-10G в компактном бесфланцевом корпусе. Устройство сохраняет все преимущества базовой модели, включая широкий диапазон рабочих частот (DC-6 ГГц) и выходную мощность 10 Вт. Транзистор демонстрирует исключительную термостабильность и устойчивость к нагрузкам, что делает его особенно востребованным в профессиональных СВЧ-приложениях.


Datasheet

Основные характеристики:
  • Диапазон рабочих частот: DC–6 ГГц
  • Выходная мощность: 10 Вт (CW)
  • КПД (drain efficiency):
  1. 84% (на 1,8 ГГц)
  2. 77,2% (на 2,6 ГГц)
  • Коэффициент усиления:
  1. 20,8 дБ (1,8 ГГц)
  2. 17,5 дБ (2,6 ГГц)
  • Напряжения:
  1. Сток (Vds): 28 В (макс. 55 В)
  2. Затвор (Vgs): -3,0 В (тип.)
  • Ток покоя (Idq): 50 мА
  • Корпус: 5,08×4,06×3,22 мм
  • ESD-защита: соответствует Level 1 (J-STD-020)

Области применения:
  • Базовые станции 4G/5G
  • Радиочастотные усилители широкополосных систем