Для всех градаций используются подложки с осевой ориентацией поверхности 0001, ориентацией скоса <1-100> ± 1°, глубиной скоса 1–1,25 мм и углом скоса 90 ± 5,1°.
Покрытие лицевой стороны выполнено из кремния. Обработка лицевой и обратной поверхностей производится методом Si-face CMP. Шероховатость каждой поверхности составляет Ra менее 0,2 нм на площади 10 × 10 мкм.
Количество частиц диаметром 0,3 мкм и более составляет менее 60 шт./пластину. Для лицевой поверхности допускается менее 5 царапин на пластину при общей длине менее диаметра пластины. Для обратной поверхности также допускается менее 5 царапин на пластину, при этом их общая длина должна быть менее двух диаметров пластины.
SiC подложки поставляются в упаковке с азотом или в вакууме. Возможна одиночная кассета либо кассета на несколько подложек.
Подложки предназначены для последующей эпитаксии GaN и изготовления мощных СВЧ-транзисторов. Их применение обеспечивает максимально достижимый для серийной продукции отвод тепла из активной зоны транзистора.
Предложение этих подложек на российском рынке является альтернативой материалам CREE, покинувшим российский рынок в 2014 году, а также существующим аналогам из КНР. Подложки изготавливаются лабораторией структуры CETC (China Electronics Technology Group Corporation, Китайская группа электронных технологий). Качество продукции подкреплено внутренними государственными стандартами CETC.
Области применения:
- изготовление мощных СВЧ-транзисторов
- производство электронных компонентов на основе GaN на SiC-подложках
- эпитаксиальное выращивание GaN